دیود شاتکی با مقاومت جریان بالا برای منبع تغذیه سوئیچ فرکانس بالا

توضیحات محصول

دیود شاتکی با مقاومت جریان بالا برای منبع تغذیه سوئیچ فرکانس بالا

MBR20100.pdf

ساختار مدار داخلی یک یکسوساز شاتکی معمولی بر اساس یک زیرلایه نیمه هادی نوع N است که روی آن یک لایه N-Epitaxial با آرسنیک به عنوان ماده ناخالص تشکیل می شود.آند از موادی مانند مولیبدن یا آلومینیوم برای ساخت لایه سد استفاده می کند.دی اکسید سیلیکون (SiO2) برای از بین بردن میدان الکتریکی در ناحیه لبه و بهبود مقدار ولتاژ مقاومت لوله استفاده می شود.زیرلایه نوع N دارای مقاومت بسیار کمی در حالت روشن است و غلظت دوپینگ آن 100٪ بیشتر از لایه H است.یک لایه کاتد N+ در زیر بستر تشکیل می شود تا مقاومت تماس کاتد را کاهش دهد.همانطور که در شکل نشان داده شده است، با تنظیم پارامترهای ساختاری، یک مانع شاتکی بین زیرلایه نوع N و فلز آند تشکیل می شود.هنگامی که یک بایاس رو به جلو به هر دو انتهای مانع شاتکی اعمال می شود (فلز آند به قطب مثبت منبع تغذیه وصل می شود و بستر نوع N به قطب منفی منبع تغذیه متصل می شود)، لایه مانع شاتکی باریکتر می شود و مقاومت داخلی آن کوچکتر می شود.در غیر این صورت، اگر یک بایاس معکوس به هر دو انتهای مانع شاتکی اعمال شود، لایه مانع شاتکی گسترده تر شده و مقاومت داخلی آن بزرگتر می شود.

امکانات
 

1. ساختار کاتدی مشترک
2. از دست دادن توان کم، راندمان بالا
3. دمای محل اتصال عملیاتی بالا
4. حلقه محافظ برای حفاظت از اضافه ولتاژ، قابلیت اطمینان بالا
5. محصول RoHS
 

برنامه های کاربردی
 

1. منبع تغذیه سوئیچ فرکانس بالا

2. دیودهای چرخشی رایگان، برنامه های کاربردی حفاظت از قطبیت
 

ویژگی های اصلی
 

IF(AV)	10 (2×5) A
VF (حداکثر)	0.7 ولت (@Tj=125 درجه سانتی گراد)
Tj	175 درجه سانتی گراد
VRRM	100 ولت

 

پیام محصول
 

مدل	علامت گذاری	بسته
MBR10100	MBR10100	TO-220C
MBRF10100	MBRF10100	TO-220F
MBR10100S	MBR10100S	TO-263
MBR10100R	MBR10100R	TO-252
MBR10100V	MBR10100V	TO-251
MBR10100C	MBR10100C	TO-220

 

رتبه بندی مطلق (Tc=25°C)
 

پارامتر			سمبل	ارزش	واحد
پیک تکراری ولتاژ معکوس			VRRM	100	V
حداکثر ولتاژ مسدود کننده DC			VDC	100	V
میانگین جریان رو به جلو	TC=150 درجه سانتی گراد (TO-220/263/252) TC=125 درجه سانتی گراد (TO-220F)	در هر دستگاه   در هر دیود	IF(AV)	10 5	آ
جریان رو به جلو غیر تکراری 8.3 میلی ثانیه تک نیمه سینوسی (روش JEDEC)			IFSM	120	آ
حداکثر دمای محل اتصال			Tj	175	درجه سانتی گراد
محدوده دمای ذخیره سازی			TSTG	-40 ~ + 150	درجه سانتی گراد