ساختار کاتدی مشترک دیود شاتکی برای کاربردهای حفاظت از قطبیت

توضیحات محصول

دیود شاتکی ساختار کاتدی مشترک برای کاربردهای حفاظت از قطبیت

MBR10200.pdf

دیود شاتکی یک دستگاه نیمه هادی فلزی است که از یک فلز نجیب (طلا، نقره، آلومینیوم، پلاتین و غیره) A به عنوان الکترود مثبت و یک نیمه هادی نوع N B به عنوان الکترود منفی ساخته شده است و مانع پتانسیل تشکیل شده بر روی سطح تماس این دو دارای ویژگی های یکسوسازی است.از آنجایی که تعداد زیادی الکترون در نیمه هادی نوع N و فقط مقدار کمی الکترون آزاد در فلز نجیب وجود دارد، الکترون ها از B با غلظت بالا به A با غلظت کم منتشر می شوند.بدیهی است که هیچ حفره ای در فلز A وجود ندارد و هیچ انتشار حفره ای از A به B وجود ندارد. با ادامه انتشار الکترون ها از B به A، غلظت الکترون در سطح B به تدریج کاهش می یابد و خنثی الکتریکی سطح از بین می رود. ، بنابراین یک مانع پتانسیل تشکیل می دهد و جهت میدان الکتریکی آن B→A است.با این حال، تحت عمل میدان الکتریکی، الکترون‌های موجود در A نیز یک حرکت رانش از A→B ایجاد می‌کنند، بنابراین میدان الکتریکی ایجاد شده در اثر حرکت انتشار را تضعیف می‌کنند.هنگامی که یک ناحیه بار فضایی با عرض معین ایجاد می شود، حرکت رانش الکترون ناشی از میدان الکتریکی و حرکت انتشار الکترون ناشی از غلظت های مختلف به تعادل نسبی می رسد و یک مانع شاتکی را تشکیل می دهد.

امکانات
 

1. ساختار کاتدی مشترک
2. از دست دادن توان کم، راندمان بالا
3. دمای محل اتصال عملیاتی بالا
4. حلقه محافظ برای حفاظت از اضافه ولتاژ، قابلیت اطمینان بالا
5. محصول RoHS
 

برنامه های کاربردی
 

1. منبع تغذیه سوئیچ فرکانس بالا

2. دیودهای چرخشی رایگان، برنامه های کاربردی حفاظت از قطبیت
 

ویژگی های اصلی
 

IF(AV)	10 (2×5) A
VF (حداکثر)	0.7 ولت (@Tj=125 درجه سانتی گراد)
Tj	175 درجه سانتی گراد
VRRM	100 ولت

 

پیام محصول
 

مدل	علامت گذاری	بسته
MBR10100	MBR10100	TO-220C
MBRF10100	MBRF10100	TO-220F
MBR10100S	MBR10100S	TO-263
MBR10100R	MBR10100R	TO-252
MBR10100V	MBR10100V	TO-251
MBR10100C	MBR10100C	TO-220

 

رتبه بندی مطلق (Tc=25°C)
 

پارامتر			سمبل	ارزش	واحد
پیک تکراری ولتاژ معکوس			VRRM	100	V
حداکثر ولتاژ مسدود کننده DC			VDC	100	V
میانگین جریان رو به جلو	TC=150 درجه سانتی گراد (TO-220/263/252) TC=125 درجه سانتی گراد (TO-220F)	در هر دستگاه   در هر دیود	IF(AV)	10 5	آ
جریان رو به جلو غیر تکراری 8.3 میلی ثانیه تک نیمه سینوسی (روش JEDEC)			IFSM	120	آ
حداکثر دمای محل اتصال			Tj	175	درجه سانتی گراد
محدوده دمای ذخیره سازی			TSTG	-40 ~ + 150	درجه سانتی گراد