• واریستور SMD با ولتاژ معکوس اوج بالا برای SDRAM موثر DDR5 16Gb A-Die
  • واریستور SMD با ولتاژ معکوس اوج بالا برای SDRAM موثر DDR5 16Gb A-Die
  • واریستور SMD با ولتاژ معکوس اوج بالا برای SDRAM موثر DDR5 16Gb A-Die
واریستور SMD با ولتاژ معکوس اوج بالا برای SDRAM موثر DDR5 16Gb A-Die

واریستور SMD با ولتاژ معکوس اوج بالا برای SDRAM موثر DDR5 16Gb A-Die

جزئیات محصول:

محل منبع: دونگوان، گوانگدونگ، چین
نام تجاری: UCHI
گواهی: SGS.MA.CTI.CQC
شماره مدل: DDR5 16GB A-Die SDRAM

پرداخت:

مقدار حداقل تعداد سفارش: 10000 عدد
قیمت: قابل مذاکره
جزئیات بسته بندی: فله / نوار
زمان تحویل: 5-7 روز
شرایط پرداخت: T/T، پی پال، وسترن یونیون، گرم پول
قابلیت ارائه: 5000000000 PCS در ماه
بهترین قیمت مخاطب

اطلاعات تکمیلی

سری تولید: SMD Varistor حداکثر جریان: متفاوت است (مثلاً تا چندین آمپر)
تکنولوژی: اکسید فلز جذب انرژی: به طور معمول 0.1J تا 10J
برنامه های کاربردی: حفاظت از نوسانات در مدارهای الکترونیکی رتبه بندی ولتاژ DC: 385 ولت
اسم قشنگی داری: SMD Varistor 10D471K 470V 10% مقاومت در برابر انرژی: 0.02JB 0.05J
مقاومت عایق: به طور معمول بیش از 100 MΩ ترمینال: پایه SMT ویژه
دمای ذخیره سازی: -55 +125 ولتاژ AC واریستور: 175-385 ولت
ولتاژ واریستور: 470V+/-10%
برجسته کردن:

SMD Varistor برای DDR5 SDRAM

,

واریستور ولتاژ معکوس اوج بالا

,

ورستور SMD با سازگاری A-Die

توضیحات محصول

DDR5 16 گیگابایت حافظه SDRAM با هسته A
1.1 ویژگی های کلیدی
• مطابق با استاندارد JEDEC؛
• منبع تغذیه: VDD/VDDQ = 1.1 ولت (1.067 ولت (-3%) تا 1.166 ولت (+6%))؛
• منبع تغذیه: VPP = 1.8 ولت (1.746 ولت (-3%) تا 1.908 ولت (+6%))؛
• بسته استاندارد JEDEC: FBGA 82 توپ برای x4/x8، FBGA 102 توپ برای x16؛
• پیکربندی آرایه:
• 32 بانک (8 گروه بانک، 4 بانک برای هر گروه بانک) برای x4/x8؛
• 16 بانک (4 گروه بانک، 4 بانک برای هر گروه بانک) برای x16؛
• معماری پیش‌گیری 16 بیتی؛
• طول انفجار (BL): BL16، BC8 OTF، BL32 (اختیاری)، BL32 OTF (اختیاری) پشتیبانی می‌شوند؛ • تأخیر CAS قابل برنامه‌ریزی (CL)؛
• تأخیر نوشتن CAS قابل برنامه‌ریزی (CWL)؛
پایان‌دهی در تراشه (ODT) از طریق تنظیم رجیستر حالت: RTT_PARK، RTT_WR، RTT_NOM_WR، RTT_NOM_RD، DQS_RTT_PARK
بازسازی همان بانک و بازسازی همه بانک‌ها برای حالت بازسازی عادی و حالت بازسازی با دقت بالا؛ • حالت بازسازی با دقت بالا 2 برابر (0 درجه سانتیگراد ≤ TCase ≤ 85 درجه سانتیگراد)، 4 برابر (85 درجه سانتیگراد ≤ TCase ≤ 95 درجه سانتیگراد) برای tRFC کوچکتر؛
• داده-استروب دیفرانسیلی دو جهته؛
• رابط POD (Pseudo Open Drain) برای ورودی/خروجی داده، ورودی فرمان و آدرس؛
• حالت تست اتصال (TEN) پشتیبانی می‌شود؛
• VREF داخلی برای ورودی‌های داده، ورودی‌های فرمان/آدرس و انتخاب تراشه؛
• CAI (وارونگی فرمان آدرس)؛
• حالت 1N/2N برای فرمان‌ها پشتیبانی می‌شود؛
• تساوی‌دهنده بازخورد تصمیم 4 شیرجه‌ای (DFE) پشتیبانی می‌شود؛
• تست حلقه و نرخ خطای بیت پشتیبانی می‌شود؛
• hPPR/sPPR پشتیبانی می‌شود؛ sPPR Do/undo/Lock پشتیبانی می‌شود؛
• حالت‌های آموزش:
• آموزش VrefDQ / VrefCA / VrefCS
• حالت آموزش خواندن
• حالت آموزش CA
• حالت آموزش CS
• آموزش VREFDQ برای هر پین
• حالت آموزش تراز کردن نوشتن
• تنظیم کننده چرخه وظیفه (DCA) برای خواندن - سراسری
• DCA (تنظیم کننده چرخه وظیفه) برای هر پین برای خواندن - برای هر پین (DQ) • قابلیت آدرس‌دهی درام جداگانه (PDA)؛
• حداکثر حالت صرفه‌جویی در مصرف انرژی (MPSM)؛
• فرمان چند منظوره (MPC)؛
• بازنشانی ناهمزمان برای روشن شدن؛
دمای عملیاتی مورد: 0 درجه سانتیگراد ≤ TCase ≤ 95 درجه سانتیگراد؛
• پشتیبانی از حالت خودکار بازسازی و خود-بازسازی؛
• دوره بازسازی متوسط:
• 3.9 میکروثانیه/32 میلی‌ثانیه، 8 هزار چرخه در دمای 0 درجه سانتیگراد ≤ TCase ≤ 85 درجه سانتیگراد؛ • 1.95 میکروثانیه/16 میلی‌ثانیه، 8 هزار چرخه در دمای 85 درجه سانتیگراد < TCase ≤ 95 درجه سانتیگراد؛
پیش‌بندها و پس‌بندهای خواندن/نوشتن قابل برنامه‌ریزی؛
• کد افزونگی چرخه‌ای (CRC) برای یکپارچگی داده‌های خواندن/نوشتن پشتیبانی می‌شود؛ • ECC در تراشه؛
• شفافیت ECC و پاکسازی خطا؛
• MBIST / mPPR؛
• حالت کاهش دنده پشتیبانی نمی‌شود؛
• حالت تست درایور خروجی بسته؛
• بازسازی خودکار بخشی از آرایه (PASR) پشتیبانی نمی‌شود؛
• مطابق با RoHS
توجه:
عملکرد شرح داده شده و مشخصات زمان‌بندی گنجانده شده در این برگه داده برای حالت عملیاتی با فعال بودن DLL (عملیات عادی) است، مگر اینکه به طور خاص خلاف آن ذکر شده باشد.
مشخصات بسته DDR5 SDRAM
این فصل عمدتاً ابعاد بسته و توپ‌بندی را در پیکربندی‌های x4/x8/x16 معرفی می‌کند که ممکن است به تطبیق دستگاه شما کمک کند.
ابعاد بسته DDR5 SDRAM در صفحه 7
• توپ‌بندی DDR5 SDRAM x8 با استفاده از MO-210-AN – 82 توپ در صفحه 8 • توضیحات پین‌اوت در صفحه 9
 
 

می خواهید اطلاعات بیشتری در مورد این محصول بدانید
واریستور SMD با ولتاژ معکوس اوج بالا برای SDRAM موثر DDR5 16Gb A-Die آیا می توانید جزئیات بیشتری مانند نوع ، اندازه ، مقدار ، مواد و غیره برای من ارسال کنید
با تشکر!